碳化硅100問 | SiC MOSFET的閾值電壓竟然受反向電壓的影響

都說SiC MOSFET的驅動電路難處理，除了柵極耐壓能力差之外，高溫還會使得閾值電壓VGS(th)下降，增加橋臂短路的風險。你以為這就結束了么？沒想到吧，VGS(th)受到反向電壓的影響，驚不驚喜？意不意外？

碳化硅100問 | SiC MOSFET的閾值電壓隨溫度是如何變化的

擒賊先擒王，打蛇打七寸，抓住事情的本質能讓人醍醐灌頂。SiC MOSFET的開關特性、橋臂直通風險都受到其閾值電壓VGS(th)的影響。而SiC MOSFET在工作過程中的溫度是變化的，掌握其特度特征至關重要。

碳化硅100問 | 如何理解SiC MOSFET的轉移特性曲線

條條大路通羅馬，水流千里歸大海，縱橫不出方圓，萬變不離其宗。對SiC MOSFET而言，轉移特性曲線是對其通流能力進行表征的祖師爺，現在讓我們一起來跟隨泰科天潤半導體認識認識它吧。

碳化硅100問 | SiC二極管的反向恢復特性到底有多強

跟關公耍大刀，跟博爾特賽跑，跟郭德綱講段子，跟碳化硅二極管比反向恢復，你就知道什么叫做降維打擊。碳化硅二極管的反向恢復特性究竟有多強，今天就測給你看。  

碳化硅100問 | SiC MOSFET的耐壓能力隨溫度是如何變化的

好的感情能跨越空間和時間，就像牛郎和織女；優秀的工程師上進又刻苦，就像此刻的你；受歡迎的拓撲高頻又高效，就像LLC；理想的器件能工作在更寬的溫度范圍內，SiC MOSFET是否能頂得??？讓我們一起看看SiC MOSFET耐壓能力隨..

碳化硅100問 | SiC二極管真的是“零反向恢復“么

碳化硅二極管如果真如規格書上寫的“零反向恢復”，那豈不是可以讓其開關頻率無窮高了？這聽起來就非常誘人，但又讓人不太放心。是騾子是馬，拉出來溜溜，一起來看看實測結果吧。

碳化硅100問 | SiC二極管的結電容會隨溫度而變化么

導通電壓、漏電流都會隨溫度而變化，碳化硅二極管也太善變了吧！碳化硅二極管的結電容也是受到重點關注的參數，因為它會直接影響其反向恢復特性，那么它是隨溫而變還是始終如一呢？

碳化硅100問 | SiC二極管的耐壓能力隨溫度是如何變化的

夏日炎炎，持續高溫，感覺整個人都要融化了。而碳化硅二極管的生存條件比我們更加惡劣，它已經發燒到90℃-150℃了。不少工程師擔心其耐壓能力會隨著溫度的升高而降低，從而導致過壓擊穿損壞。透過碳化硅二極管漏電流隨..

碳化硅100問 | 如何進一步降低SiC二極管的導通電壓

PFC電路已經用上碳化硅二極管了，終端客戶怎么對效率還是不滿意！又要加班加點調電路了么？不必驚慌，快試試采用減薄工藝的低導通損耗碳化硅二極管吧。  

碳化硅100問 | SiC二極管的導通電壓隨溫度是如何變化的

世界是多變的，造型是百變的，天氣是時變的，碳化硅二極管的導通壓降是溫變的。充分掌握其隨溫度變化的規律才能拿捏住變換器的效率，現在就讓我們實測看看結果如何。